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SKJ-50晶體生長爐是用提拉法生長高質(zhì)量氧化物單晶及金屬單晶，如藍(lán)寶石、GGG、YAG、SrLaAlO4、LaAlO3、Si、Ge等，Z大可長出晶體尺寸達3“ 。

SKJ-M50-16金屬晶體生長爐是用坩堝下降法生長金屬晶體的設(shè)備，可在真空、大氣、惰性氣體或其他保護氣氛下、在可控的局部壓力狀態(tài)下運行。根據(jù)金屬的屬性，本機可采用中頻感應(yīng)加熱電源，以及石墨電阻加熱兩種加熱方式；采用歐陸微處理器與熱電偶閉環(huán)控制爐溫，使結(jié)晶體按照一定的直徑進行控制。

2100℃高溫鎢加熱爐HVF-2100W-60適用于高真空狀態(tài)下對金屬、非金屬及其化合物進行燒結(jié)、熔化，如硬質(zhì)合金、鎳基合金、粉末冶金、鎳鈷合金、合金鋼、不銹鋼、稀土釹鐵錋等。

VTF-1600X-TSSG頂部籽晶法晶體生長爐可利用助溶劑法生長各種材料單晶。箱式爐采用氧化鋁纖維作為爐膛材料，以MoSi2為加熱元件，其腔體尺寸為φ330mm×250mm（H），高溫度可達1700℃。30段可編程精密溫度控制器，可根據(jù)不同的客戶需求來設(shè)定升降溫程序，控溫精度可達±1℃，配備精密旋轉(zhuǎn)提拉機構(gòu)可用于頂部籽晶助溶劑法生長各種晶體材料，提拉速度和旋轉(zhuǎn)速度均可根據(jù)客戶需求進行定制。

SP-MSM-4CZ四電弧提拉法單晶生長爐是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐（采用Ar氣電弧對樣品熔融，提拉裝置提拉），其溫度可達3000℃。腔體為304不銹鋼腔體（帶有水冷夾層），真空度可達10-5Torr.此款單晶爐特別適合生長高熔點的單晶，如Ti單晶，YSZ，SiC和CeRh2Si等等。

SKJ-BG1650布里奇曼單晶生長爐是一款高質(zhì)量的布里奇曼單晶生長爐，高溫度可達1650℃。此款設(shè)備可生長出各種金屬單晶，目前本公司用此款設(shè)備已經(jīng)生長出Cu,Ag,Au,Fe和Mg等單晶，其直徑可達37mm。電動坩堝放置系統(tǒng)，方便與放樣和取樣。SKJ-BG1650布里奇曼單晶生長爐適合于生長各種金屬，氧化物等晶體，也和作為多晶棒定向凝固使用。